3D NAND工艺中常用的抗蚀剂用于KrF浸没曝光设备

3D NAND工艺中常用的抗蚀剂用于KrF浸没曝光设备

  集微网消息,据BusinessKorea报道,NH Investment&Securities于7月3日表示,日本政府对韩国半导体材料出口管制的行动不会影响韩国芯片制造商的半导体生产。

  NH Investment&Securities的一位分析师表示,“我们发现日本政府对抗蚀剂的限制只限于EUV抗蚀剂。”EUV抗蚀剂只能由JSR和Shin-Etsu等日本公司生产,但三星尚未采用EUV流程。

  “DRAM中使用的主抗蚀剂用于氟化氩(ArF)浸没曝光设备,3D NAND工艺中常用的抗蚀剂用于KrF浸没曝光设备,”他说。“ArF的波长为193 nm,KrF为248 nm。日本政府决定对波长低于193nm的光进行优化的抗蚀剂调节。因此,这两个项目不受出口限制。”

  “三种产品的出口许可证制度——氟聚酰亚胺,抗蚀剂和氟化氢,将对韩国公司产生有限的影响,”他说,“相反,人们越来越担心日本企业受到的损害。”(校对/Jurnan)返回搜狐,查看更多

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